报告摘要：铁基关联半导体因其较强的电子关联效应而产生丰富的奇异物性，二锑化铁（FeSb₂）作为其中的代表性材料，其低温下出现的金属绝缘相变、磁性转变以及饱和电阻平台等现象引起了广泛的研究兴趣。针对铁基关联半导体中的相变机制问题，我们使用高分辨X射线吸收(XAS)和角分辨光电子能谱(ARPES)对FeSb₂进行温度和掺杂调控的系统性研究，并结合基于原子多重态理论(atomic multiplet)方法和DFT方法对实验结果进行了分析。(I) 我们发现FeSb₂具有3d6轨道的自旋混合基态，而伴随着能隙被温度和化学掺杂关闭，其自旋基态从低自旋向高自旋反转。(II) 我们观测到了体能隙关闭过程，为FeSb₂中存在的金属绝缘转变提供了新的谱学证据。(III) 我们发现FeSb₂中的表面电子态是拓扑平庸的，并且主导了低温的电输运性质。这些结果为全面理解铁基关联半导体中的金属绝缘相变机制、低温电阻反常和巨热电效应等提供了关键性信息。

主讲人简介：苗霖，东南大学物理学院教授、博导。研究方向为关联电子体系与拓扑量子体系。使用的主要实验手段包括了以角分辨光电子谱(ARPES)，X射线吸收谱/散射谱(XAS/RIXS)为主的X射线谱学，以及表面物理技术，包括分子束外延(MBE)和扫描隧道显微镜(STM)。在Science，PNAS，PRL等杂志上发表论文20余篇，担任PRL等杂志的审稿人，并兼任江苏省物理学会青年工作委员会委员。