时 间：12月13日（周五）16:00

地 点：物理楼552

主 讲 人：张进成教授

单 位：西安电子科技大学

张进成，西安电子科技大学科学研究院院长，微电子学院教授，博导。主要研究领域为宽禁带与超宽禁带半导体电子材料与器件，发表SCI论文300余篇，出版专著3部，授权发明专利80余项，成果6次被Semiconductor Today专题报道。获国家技术发明二等奖2项（排名第一和第二），省部级科技一等奖4项及国家教学成果一等奖1项。曾入选国家杰出青年基金、国防卓越青年基金等人才称号。

摘要：得益于宽禁带宽度、高击穿场强、高热导率、高电子饱和速度等优势，氮化镓、氧化镓、金刚石、铝镓氮等宽禁带与超宽禁带半导体在高频率、高功率、高效率射频器件、电力电子器件方面拥有超10倍于第一代半导体硅和第二代半导体砷化镓的性能指标，是新一代低能耗与高效率功率器件和射频器件的理想技术。不过，宽禁带与超宽禁带半导体在高质量材料制备、器件工艺以及器件结构等方面存在大量的技术挑战。作者20多年来始终致力于宽禁带和超宽禁带半导体电子材料与器件研究，相继开发了专用MOCVD设备、低缺陷生长方法、新型异质结构以及新型器件结构等，实现了国际领先水平的氮化镓微波功率器件，并在国家重大工程中成功应用。其次，近年来作者针对超宽禁带半导体研究取得了一系列突破性进展，包括氧化镓肖特基二极管国际最高击穿电压>3 kV与功率指数0.5 GW/cm2、铝镓氮栅注入晶体管>5 V的阈值电压并同时获得200 mA/mm的输出电流密度以及>2 kV的击穿电压、金刚石场效应晶体管在栅长为2 μm时仍然具有400 mA/mm高电流密度并能稳定工作在200 °C。